存储器装置及其操作方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118016130A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202310944018.6

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括存储器单元阵列、电压生成器和控制逻辑,存储器单元阵列包括多个存储器单元,电压生成器被配置为生成在数据写入操作期间施加到所述多个存储器单元的编程电压和验证电压,控制逻辑被配置为:在数据写入操作期间控制多个编程循环,以将所述多个存储器单元编程到多个编程状态,并且被配置为确定在所述多个编程循环中编程是通过还是失败,其中,控制逻辑控制所述多个编程循环,以在所述多个编程循环中的至少一个编程循环中通过使用用于验证第n编程状态的验证条件来验证将被编程到第n+1编程状态的一个或多个第n+1存储器单元(n是大于或等于1的整数)。

    半导体存储设备和包括半导体存储设备的储存系统

    公开(公告)号:CN115691618A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210790675.5

    申请日:2022-07-05

    Abstract: 一种半导体存储设备,包括源极层、沟道结构、在源极层上且在沟道结构的侧壁上间隔开的栅电极,以及公共源极线。栅电极包括第一字线组和第二字线组,第一字线组包括第一栅电极和第二栅电极,第二字线组包括第三栅电极和第四栅电极。响应于公共源极线的电压达到目标电压,半导体存储设备使得在第一擦除操作间隔中将抑制电压施加到第二字线组并将擦除电压施加到第一字线组,并且在第二擦除操作间隔中将抑制电压施加到第一字线组并将擦除电压施加到第二字线组。

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