公开(公告)号：CN101276819A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087429.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金志永 ,  王康龙 ,  金桢雨 ,  蔡洙杜 ,  朴赞真

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹陷，以便在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。在多个第一沟槽内部的第二半导体层表面上提供多个第一存储节点。该器件还包括多个第一控制栅电极，其形成于多个第一存储节点上，用于填充多个第一沟槽。