公开(公告)号：CN1074557A

公开(公告)日：1993-07-21

申请号：CN92112747.2

申请日：1992-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河定旼 ,  慎烘縡 ,  金永郁

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042

Abstract: 本发明涉及一半导体装置，包括电连接半导体装置的金属导线至外壳引线的焊接块，以及一覆盖该焊接块和金属导线的钝化层。该焊接块或金属导线具有钝角或圆形拐角。钝化层中的裂纹的产生得到显著抑制，从而提高了半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN1115723C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96114485.8

申请日：1996-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  河定旼 ,  高大弘 ,  李相忍

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中，通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比，一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此，防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外，金属连线的接触电阻可以被降低。

公开(公告)号：CN1182958A

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：CN96114485.8

申请日：1996-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  河定旼 ,  高大弘 ,  李相忍

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中,通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比,一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此,防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外,金属连线的接触电阻可以被降低。