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公开(公告)号：CN1905214A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107584.8
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L21/8239
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括横跨半导体衬底的有源区形成的浮置栅，以及在浮置栅上形成的控制栅电极。在浮置栅和有源区之间形成绝缘图形，使得绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。
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