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公开(公告)号：CN110875261A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910476618.8
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 可提供一种具有凸块结构的半导体器件和半导体封装件。所述半导体器件包括：基板，其包括在所述基板的第一表面上的第一导电焊盘；在所述第一导电焊盘上的至少一个第一凸块结构，所述第一凸块结构包括第一连接件和第一分层防止层，所述第一分层防止层位于所述第一连接件上并且比第一连接件具有更大的硬度；以及第一密封件，其在所述基板的第一表面上方并且围绕所述第一凸块结构。
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