负电平移位器和包括其的非易失性存储器件

    公开(公告)号:CN114267394A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202110693004.2

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 一种包括移位电路和锁存电路的负电平移位器。该移位电路使用具有不同特性的低电压晶体管和高电压晶体管,使第一输入信号的电平和第二输入信号的电平移位,以在第一输出节点和第二输出节点处分别提供第一输出信号和第二输出信号,第一输出信号与第二输出信号具有互补的电平。该锁存电路在第一输出节点和第二输出节点处连接到移位电路,锁存第一输出信号和第二输出信号,接收电平小于接地电压的负电压,并且基于第一输出节点处的电压电平和第二输出节点处的电压电平,分别互补地将第二输出信号和第一输出信号驱动到电源电压的电平或负电压的电平。

    半导体多层结构以及半导体多层结构的测试电路的操作方法

    公开(公告)号:CN119517766A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411100895.6

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 提供了半导体多层结构以及半导体多层结构的测试电路的操作方法。所述半导体多层结构包括:第一半导体晶片,其包括多个第一焊盘;第二半导体晶片,其包括与所述多个第一焊盘组合的多个第二焊盘;以及测试电路,其被配置为向其中所述多个第一焊盘当中的预设第一参考焊盘与所述多个第二焊盘当中的预设第二参考焊盘组合的参考组合部分施加第一电压,并且向其中所述多个第一焊盘当中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘当中的至少一个第二焊盘组合的比较组合部分施加第二电压,其中,所述测试电路将基于所述参考组合部分与所述比较组合部分的电阻比而分布的电压与预设参考电压进行比较,以确定所述至少一个第一焊盘是否与所述至少一个第二焊盘对准。

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