公开(公告)号：CN102403428B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201110281198.1

申请日：2011-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成汉珪 ,  郑薰在 ,  杨丁子 ,  孙哲守

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/816

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。III族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电III族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电III族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电III族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。

公开(公告)号：CN102403417B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110281232.5

申请日：2011-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成汉珪 ,  郑薰在 ,  杨丁子 ,  孙哲守

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供III族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN102244172B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110124931.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高炯德 ,  杨丁子 ,  金裕承 ,  成演准 ,  郑守珍 ,  金大天 ,  李秉权

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。