公开(公告)号：CN119866082A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411408428.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  金振均 ,  李珉炅

IPC: H10F39/12

Abstract: 提供了图像传感器以及制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：多个像素；半导体基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；器件隔离层，设置在穿透半导体基底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将所述多个像素彼此分离；以及微透镜，设置在第二表面上。器件隔离层包括：掩埋绝缘图案，穿透第一表面和第二表面；绝缘衬层，在掩埋绝缘图案与半导体基底之间；导电衬层，在绝缘衬层与掩埋绝缘图案之间；以及掩埋导电图案，设置在掩埋绝缘图案的至少一部分上并接触导电衬层。

公开(公告)号：CN111719119B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202010003671.9

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  金大汉 ,  李珉炅

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的设备和方法。该设备包括：室；蒸发器，蒸发有机源以在室中的基底上提供源气体；真空泵，将源气体和空气从室泵出；排气管线，在真空泵与室之间；以及分析器，连接到排气管线。分析器检测由有机源产生的衍生分子，并确定蒸发器的更换时间。

公开(公告)号：CN119230568A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410248456.3

申请日：2024-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局泰 ,  金振均 ,  李珉炅

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括彼此背对的第一表面和第二表面，其中，基底包括多个像素区域；隔离图案，从第一表面延伸并延伸到基底中，其中，隔离图案位于所述多个像素区域之间；以及抗反射层，位于隔离图案上，其中，隔离图案包括第一器件隔离图案和第二器件隔离图案，第一器件隔离图案接触抗反射层，第二器件隔离图案与抗反射层间隔开，其中，第一器件隔离图案包括第一介电层和导电反射层，导电反射层位于第一介电层上，其中，导电反射层的顶表面和第一介电层的顶表面距基底的第二表面相同的距离。

公开(公告)号：CN118689379A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311517671.0

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉炅 ,  金在燮 ,  金俊豪 ,  鲁良宇 ,  辛有建 ,  李东熙

IPC: G06F3/06 ,  G11C16/34 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了一种操作与主机设备和非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：从主机设备接收第一命令，第一命令指示第一分区区域中的第一分区随机写入区域(ZRWA)的第一状态信息的读取操作，其中，第一命令符合分区命名空间(ZNS)标准；基于第一命令，从存储控制器中的分区状态表获得第一状态信息，其中，第一状态信息指示非易失性存储器件的与第一ZRWA相对应的第一物理区域的至少一部分，在该部分中存储有第一数据；以及向主机设备提供第一状态信息。

公开(公告)号：CN111719119A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010003671.9

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  金大汉 ,  李珉炅

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的设备和方法。该设备包括：室；蒸发器，蒸发有机源以在室中的基底上提供源气体；真空泵，将源气体和空气从室泵出；排气管线，在真空泵与室之间；以及分析器，连接到排气管线。分析器检测由有机源产生的衍生分子，并确定蒸发器的更换时间。