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发明公开
集成电路器件审中-公开

公开(公告)号：CN117917771A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202310952326.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚求 , 刘禹炅 , 姜盿材 , 柳庚玟 , 徐训硕 , 李禹镇 , 李浚採

IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L23/528

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底；一对鳍型有源区，从衬底突出，以在衬底上限定沟槽区，该鳍型有源区在第一横向方向上延伸；一对源/漏区，分别在鳍型有源区上；器件隔离膜，在沟槽区中，该器件隔离膜在竖直方向上与衬底分开；蚀刻停止结构，在衬底和器件隔离膜之间填充沟槽区的至少一部分；过孔电力轨，在该对鳍型有源区之间、以及在该对源/漏区之间，该过孔电力轨穿过蚀刻停止结构的至少一部分；以及背侧电力轨，穿过衬底，该背侧电力轨与过孔电力轨的一端接触。

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