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公开(公告)号：CN1282077A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00121687.2
申请日：2000-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
CPC classification number: G11C16/12
Abstract: 一种闪速存储装置的编程方法。该方法首先在存储单元阵列的闪速存储单元中,选择由字单元/字节单元决定的闪速存储单元。之后顺序编程所选闪速存储单元以致具有较目标阀电压低的预定阀电压。此后,可以同时编程所选闪速存储单元由预定阀电压达到目标阀电压,也可以将所选闪速存储单元分成多个待顺序编程的组。利用这种编程算法,提高了闪速存储装置的集成度并降低了电源电压,但不需要增加集成电路芯片的尺寸仍能供给编程所需的足够电流。
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公开(公告)号：CN101162611A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610064346.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
Abstract: 一种闪存器件的电压生成电路，包括高电压生成器、字线电压生成器和列选择电压切换器。高电压生成器被配置成：将内部电源电压从第一电压增加到高于第一电压的第二电压。字线电压调整器被配置成：基于内部电源电压而生成递增阶跃脉冲，其中，在内部电源电压到达第二电压之前，输出递增阶跃脉冲作为字线编程电压。列选择电压切换器被配置成：基于内部电源电压而输出用于选择位线的列选择电压。
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公开(公告)号：CN1542858B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410033552.9
申请日：2000-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
CPC classification number: G11C16/12
Abstract: 一种“或非”闪速存储装置包括：以行和列排列的多个存储单元阵列；用于选择某行的行选择电路；用于选择列中一组列的列选择电路；用于在编程操作期间产生供给所选列的漏极电压的抽运电路；用于产生指示由所选行和所选列确定的存储单元的一个编程期间的第一编程期间信号和第二编程期间信号的编程期间控制电路；用于响应第一和第二编程期间信号以及待编程的数据位产生将所选列指定给指定的存储单元的选择信号的选择电路；和用于响应选择信号驱动从抽运电路产生的漏极电压的所选列的写驱动电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1168095C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00121687.2
申请日：2000-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
CPC classification number: G11C16/12
Abstract: 一种闪速存储装置的编程方法。该方法首先在存储单元阵列的闪速存储单元中，选择由字单元/字节单元决定的闪速存储单元。之后顺序编程所选闪速存储单元以致具有较目标阀电压低的预定阀电压。此后，可以同时编程所选闪速存储单元由预定阀电压达到目标阀电压，也可以将所选闪速存储单元分成多个待顺序编程的组。利用这种编程算法，提高了闪速存储装置的集成度并降低了电源电压，但不需要增加集成电路芯片的尺寸仍能供给编程所需的足够电流。
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公开(公告)号：CN101162611B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610064346.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
Abstract: 一种闪存器件的电压生成电路，包括高电压生成器、字线电压生成器和列选择电压切换器。高电压生成器被配置成：将内部电源电压从第一电压增加到高于第一电压的第二电压。字线电压调整器被配置成：基于内部电源电压而生成递增阶跃脉冲，其中，在内部电源电压到达第二电压之前，输出递增阶跃脉冲作为字线编程电压。列选择电压切换器被配置成：基于内部电源电压而输出用于选择位线的列选择电压。
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公开(公告)号：CN1452315B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN03125039.4
申请日：2003-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种延迟电路，包括电串联耦合的具有第一和第二电阻值的第一和第二电阻元件。第一电阻值随温度成正比变化而第二电阻值随温度成反比变化。
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公开(公告)号：CN1542858A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410033552.9
申请日：2000-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李枓燮
CPC classification number: G11C16/12
Abstract: 一种“或非”闪速存储装置包括：以行和列排列的多个存储单元阵列；用于选择某行的行选择电路；用于选择列中一组列的列选择电路；用于在编程操作期间产生供给所选列的漏极电压的抽运电路；用于产生指示由所选行和所选列确定的存储单元的一个编程期间的第一编程期间信号和第二编程期间信号的编程期间控制电路；用于响应第一和第二编程期间信号以及待编程的数据位产生将所选列指定给指定的存储单元的选择信号的选择电路；和用于响应选择信号驱动从抽运电路产生的漏极电压的所选列的写驱动电路。
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公开(公告)号：CN1452315A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03125039.4
申请日：2003-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种延迟电路，包括电串联耦合的具有第一和第二电阻值的第一和第二电阻元件。第一电阻值随温度成正比变化而第二电阻值随温度成反比变化。
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