公开(公告)号：CN113552775A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110243843.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗珪 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 提供EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法。EUV曝光装置包括：EUV光源；第一光学系统，配置为将来自EUV光源的EUV光传输到EUV掩模；第二光学系统，配置为将从EUV掩模反射的EUV光传输到晶片；掩模平台；晶片平台；以及控制单元，配置为控制掩模平台和晶片平台，其中，基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性，第一套刻参数通过校正第二套刻参数来校正，该第一套刻参数是在晶片上的各层之间的套刻误差的参数中的一个，第二套刻参数是所述套刻误差的参数中的另一参数。

公开(公告)号：CN111077739B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN111077739A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN118248543A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311686775.4

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗珪 ,  李汀镇 ,  郭旻哲 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种用于使用重叠测量来制造半导体器件的方法、以及通过该方法制造的半导体器件。该方法包括：在衬底上形成下图案，该下图案包括具有第一间距的下重叠键图案；在下图案上形成上图案，该上图案包括具有与第一间距不同的第二间距的上重叠键图案；测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN118016521A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311243315.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汀镇 ,  李斗珪 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  G03F7/20

Abstract: 一种控制半导体工艺的方法，包括：通过向形成在至少一个样本晶片上的第一光刻胶层照射第一剂量的极紫外(EUV)光来形成多个样本套刻键标；确定用于校正从多个样本套刻键标测量的样本套刻误差的样本校正参数；基于第一剂量和第二剂量之间的差来更新样本校正参数；基于经更新的样本校正参数，通过向形成在样本晶片上的第二光刻胶层照射第二剂量的极紫外光来形成多个主套刻键标；基于从多个主套刻键标测量的主套刻误差来确定主校正参数；以及基于主校正参数，对与样本晶片不同的晶片执行光刻工艺。