公开(公告)号：CN111077739B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN111077739A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN110187606B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201811218567.0

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法。所述曝光设备包括：用于晶圆的平台；第一光源，产生第一光束；曝光光学系统，接收第一光束，并且将第一光束作为曝光光束引导到晶圆的场中的曝光区域上；以及加热单元，包括产生第二光的第二光源，并且通过将第二光施加到曝光区域来加热曝光区域。

公开(公告)号：CN110187606A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201811218567.0

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法。所述曝光设备包括：用于晶圆的平台；第一光源，产生第一光束；曝光光学系统，接收第一光束，并且将第一光束作为曝光光束引导到晶圆的场中的曝光区域上；以及加热单元，包括产生第二光的第二光源，并且通过将第二光施加到曝光区域来加热曝光区域。