公开(公告)号：CN1828836B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200610006728.0

申请日：2006-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李浩 ,  申东石 ,  李化成 ,  上野哲嗣 ,  李承焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在本发明的外延半导体衬底的制造方法的示范性实施例中，使用从化学气相沉积和分子束外延方法中选择的方法并在所述选择的方法中使用杂质源，以在半导体衬底上方生长吸杂层。在所述吸杂层上方形成外延层，且在所述外延层上可以形成半导体器件。

公开(公告)号：CN1828836A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006728.0

申请日：2006-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李浩 ,  申东石 ,  李化成 ,  上野哲嗣 ,  李承焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在本发明的外延半导体衬底的制造方法的示范性实施例中，在半导体衬底上方生长吸杂层。在所述吸杂层上方形成外延层，且在所述外延层上可以形成半导体器件。