公开(公告)号：CN118843311A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410163557.0

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠炫 ,  金俊澈 ,  金冈昱 ,  金真雅 ,  张炳旭 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种能够改善元件的性能和可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在衬底中的单元区域隔离层，将单元区域与外围区域隔离；隔离有源区域，被单元区域隔离层围绕；位线结构，在单元区域上，包括单元导线；以及单元栅电极，在单元区域的衬底中，与单元导线交叉。

公开(公告)号：CN119277776A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410654395.0

申请日：2024-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠炫 ,  金冈昱 ,  金俊澈 ,  金真雅

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一位线，在第一方向上与存储单元阵列区域交叉，并且延伸到与存储单元阵列区域相邻的延伸区域中；第二位线，在第一方向上与存储单元阵列区域交叉，并且延伸到延伸区域中，并且与第一位线相邻；绝缘图案，在延伸区域内，并且接触第二位线在第一方向上的端部；以及绝缘间隔物，在延伸区域内，并且接触第一位线在第一方向上的端部，该绝缘间隔物与绝缘图案不同。

公开(公告)号：CN117769247A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311240239.1

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金冈昱 ,  S·闵 ,  李忠炫

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括基板，该基板包括具有由单元元件隔离层限定的有源区的单元区、在单元区附近的外围区以及在单元区和外围区之间的边界区。该器件包括：字线结构，在基板中并在第一方向上延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到边界区，包括依次堆叠在基板上的第一单元导电层和第二单元导电层；以及位线接触，在基板和位线结构之间并将基板与位线结构连接。边界区中的第二单元导电层比单元区中的第二单元导电层厚。

公开(公告)号：CN112420668A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010315963.6

申请日：2020-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠炫 ,  崔准容 ,  李泳周

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，所述集成电路器件包括：导电线，包括金属层；以及绝缘盖结构，覆盖导电线。绝缘盖结构包括：第一绝缘盖图案，在绝缘盖结构中与金属层相邻并且具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。为了制造所述集成电路器件，在基底上形成具有金属层的导电线，直接在金属层上形成具有第一密度的第一绝缘盖层，并且在第一绝缘盖层上形成具有比第一密度大的第二密度的第二绝缘盖层。