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公开(公告)号：CN117769247A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311240239.1
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括基板，该基板包括具有由单元元件隔离层限定的有源区的单元区、在单元区附近的外围区以及在单元区和外围区之间的边界区。该器件包括：字线结构，在基板中并在第一方向上延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到边界区，包括依次堆叠在基板上的第一单元导电层和第二单元导电层；以及位线接触，在基板和位线结构之间并将基板与位线结构连接。边界区中的第二单元导电层比单元区中的第二单元导电层厚。
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