公开(公告)号：CN109427376B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201810974238.2

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚旼 ,  申慧旻 ,  李桢赫 ,  郑铉成

IPC: G11C7/12 ,  G11C11/16

Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。

公开(公告)号：CN118053471A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311476615.7

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚旼 ,  金永杰 ,  金大植

IPC: G11C13/00

Abstract: 可以提供一种存储装置，其包括：存储单元，其包括可变电阻元件；控制器，其配置成基于所述存储装置是执行读取操作还是验证读取操作来产生控制信号；参考单元，其包括参考电阻电路，所述参考电阻电路配置成根据所述控制信号具有不同的电阻值；以及读出放大器，其配置成感测从所述存储单元施加的读取电压值和从所述参考电阻电路施加的参考电压值之间的差值。

公开(公告)号：CN110910932A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910846983.3

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚旼 ,  郑铉成

IPC: G11C13/00

Abstract: 可以提供一种存储器装置，其包括可变电阻存储器单元，所述可变电阻存储器单元包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，可变电阻元件的第一端连接到位线，可变电阻元件的第二端、第一单元晶体管的第一端和第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，第一单元晶体管的第二端和第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并被配置为在第二写入操作中将字线和子字线彼此连接。

公开(公告)号：CN109427376A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810974238.2

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚旼 ,  申慧旻 ,  李桢赫 ,  郑铉成

IPC: G11C7/12 ,  G11C11/16

Abstract: 一种存储设备，可以包括：选择的位线，连接到第一节点并且配置为接收第一电流；选择的存储单元，连接到选择的位线；参考位线，连接到第二节点并且配置为接收第二电流；参考存储单元，连接在参考位线与参考源极线之间；子位线，连接到第二节点；子存储单元，连接在子位线与子源极线之间；以及读出放大器，配置为读出第一节点与第二节点之间的电压差，以确定从连接到选择的位线的选择的存储单元所读取的数据。子存储单元可以包括单元晶体管。单元晶体管的栅极电极可以连接到子源极线。