公开(公告)号：CN116264231A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211566542.6

申请日：2022-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑润永 ,  裵德汉 ,  朴柱勋 ,  李宥利 ,  洪秀姸

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，包括器件区和场区；有源区，在器件区中沿第一方向延伸；第一栅结构，在器件区和场区中沿与第一方向相交的第二方向延伸；第二栅结构，在第一方向上与第一栅结构间隔开；第一栅接触部，在器件区中设置在第一栅结构上；以及第二栅接触部，在场区中设置在第二栅结构上，其中，第一栅接触部和第二栅接触部设置在比第一栅结构的上端低的水平处，并且其中，第一栅接触部的第一最小宽度和第二栅接触部的第二最小宽度彼此不同。

公开(公告)号：CN106356372B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201610474846.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  柳炳赞 ,  朴宰贤 ,  李宥利 ,  车东镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。

公开(公告)号：CN106356372A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610474846.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  柳炳赞 ,  朴宰贤 ,  李宥利 ,  车东镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7848 ,  H01L2029/7858 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。