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公开(公告)号:CN116264231A
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202211566542.6
申请日:2022-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路器件,包括:衬底,包括器件区和场区;有源区,在器件区中沿第一方向延伸;第一栅结构,在器件区和场区中沿与第一方向相交的第二方向延伸;第二栅结构,在第一方向上与第一栅结构间隔开;第一栅接触部,在器件区中设置在第一栅结构上;以及第二栅接触部,在场区中设置在第二栅结构上,其中,第一栅接触部和第二栅接触部设置在比第一栅结构的上端低的水平处,并且其中,第一栅接触部的第一最小宽度和第二栅接触部的第二最小宽度彼此不同。