公开(公告)号：CN103094432A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210435186.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐 ,  崔丞佑 ,  宋尚烨 ,  孙宗洛

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，以及形成在该发光结构上的反射结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该反射结构包括纳米杆层和形成在纳米杆层上的反射金属层，该纳米杆层包括多个纳米杆和该多个纳米杆之间的空气填充空间。

公开(公告)号：CN103107261A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210459102.0

申请日：2012-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐 ,  金起范 ,  李时赫

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件以及包括该半导体发光器件的封装，该半导体发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。光提取层设置在发光结构上并包括：具有透光性的光透射薄膜层；包括多个纳米棒的纳米棒层，设置在光透射薄膜层上；以及包括多个纳米线的纳米线层，设置在纳米棒层上。

公开(公告)号：CN102800768A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210169902.9

申请日：2012-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，包括：半导体发光叠层，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和夹置在其间的有源层；第一电极，具有形成在第一导电半导体层的上表面的一部分上的至少一个接合焊盘；第二电极，具有形成在第二导电半导体层上的欧姆接触层；和电流阻挡层，位于第二导电半导体层与欧姆接触层之间并具有多个图案，多个图案排列为使得邻近与接合焊盘交叠的区域的图案之间的间隔小于其他区域的图案之间的间隔。