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公开(公告)号：CN119092542A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410641546.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：衬底，其包括第一有源区域和第二有源区域；元件隔离膜，其位于所述衬底上，所述元件隔离膜暴露所述第一有源区域和所述第二有源区域；硅锗膜，其位于所述衬底的所述第一有源区域上；第一栅极绝缘膜，其位于所述硅锗膜上并且接触所述硅锗膜；第一栅电极，其位于所述第一栅极绝缘膜上；源极/漏极区域，其位于所述衬底中并且位于所述第一栅电极的两侧；第二栅极绝缘膜，其位于所述衬底的所述第二有源区域上并且接触所述衬底；以及第二栅电极，其位于所述第二栅极绝缘膜上。与所述第二有源区域相比，在所述第一有源区域中从所述元件隔离膜的最低部分到所述衬底的上面的高度可以是不同的。
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