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公开(公告)号：CN118038928A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311502819.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/406
Abstract: 提供了电压发生器、存储器件和应用处理器。所述电压发生器包括：LDO(低压差)稳压器，所述LDO稳压器基于读出放大电路的内部电压节点的电压电平来向所述内部电压节点供应电流作为反馈控制；以及电源开关电路，所述电源开关电路包括多个电源开关，所述多个电源开关各自具有连接到外部电压的一端和连接到所述内部电压节点的相对端，并且所述电源开关电路基于要激活的读出放大器的已知数目来向所述内部电压节点供应所述电流作为前馈控制。所述电压发生器可以根据所述读出放大电路的操作模式高效地供应电流。
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公开(公告)号：CN117746944A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311102555.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4091 , G11C11/4074
Abstract: 提供了具有外围上单元结构的存储器核心电路和存储器装置。所述存储器核心电路包括：(i)存储器单元阵列，在其中具有子单元阵列，以及(ii)核心控制电路，在其中具有子外围电路，使得每个子外围电路在对应的子单元阵列下方延伸。每个子单元阵列包括分别连接到字线和位线的存储器单元。每个子外围电路包括：子字线驱动器，被配置为驱动字线；位线感测放大器，被配置为感测位线的电压；行解码电路，被配置为控制子字线驱动器，以选择字线中的一条；电源电路，被配置为将电力供应到每个子外围电路；以及控制电路，被配置为控制每个子外围电路的操作。通过使用高效地提供核心控制电路的CoP结构，存储器核心电路的尺寸可被减小并且设计裕度可被增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113223587A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011544394.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了易失性存储装置及其数据感测方法。所述易失性存储装置包括：第一读出放大器，所述第一读出放大器通过第一位线连接到第一存储单元，并被配置为感测存储在所述第一存储单元中的2位数据；第二读出放大器，所述第二读出放大器通过第二位线连接到第二存储单元，并被配置为感测存储在所述第二存储单元中的2位数据，所述第二位线的长度大于所述第一位线的长度；和驱动电压供应电路，所述驱动电压供应电路被配置为将第一驱动电压供应到所述第一读出放大器，并且将第二驱动电压供应到所述第二读出放大器，所述第二驱动电压的电压电平不同于所述第一驱动电压的电压电平。
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公开(公告)号：CN111161764A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911009858.3
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/4091
Abstract: 提供一种感测放大器。感测放大器被配置为：将存储在存储器单元中的单元电压感测为2位数据的最高有效位(MSB)和最低有效位(LSB)。感测放大器在单元位线与感测放大器的保持位线电断开的状态下感测2位数据的MSB，并且在单元位线电连接到保持位线的状态下感测2位数据的LSB。感测放大器被配置为在感测2位数据的MSB和LSB之前均衡感测放大器的位线对。感测放大器被配置为将与感测的2位数据的MSB和LSB对应的单元电压恢复到存储器单元。
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公开(公告)号：CN118782118A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311749312.8
申请日：2023-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东一
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4097 , G11C11/4094
Abstract: 本公开涉及感测放大器、操作其的方法和包括其的易失性存储器设备。一种感测放大器，包括感测放大器电路，该感测放大器单元包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，该第一NMOS晶体管连接到第一位线，该第二NMOS晶体管连接到与第一位线互补的第二位线；第一隔离/偏移消除电路，其包括连接第一位线和第一感测位线的第一隔离开关以及连接第一位线和与第一感测位线互补的第二感测位线的第一偏移消除开关；以及第二隔离/偏移消除电路，其包括连接第二位线和第二感测位线的第二隔离开关以及连接第二位线和第一感测位线的第二偏移消除开关。
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公开(公告)号：CN117457046A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310779980.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4091
Abstract: 公开了包括感测放大器的存储器装置以及操作感测放大器的方法。一种操作位线感测放大器的方法可包括：通过将位线、互补位线、感测位线和互补感测位线充电到预充电电压执行正常预充电操作，通过将位线连接到感测位线、将互补位线连接到互补感测位线、将大于预充电电压的第一内部电压施加到P型感测放大器以及将小于预充电电压的第二内部电压施加到N型感测放大器来执行第一偏移补偿操作。通过在将第二内部电压施加到N型感测放大器的同时将预充电电压施加到P型感测放大器来执行第二偏移补偿操作。通过将位线与感测位线分离，将互补位线与互补感测位线分离，将感测位线连接到互补感测位线，将预充电电压施加到N型感测放大器执行位线偏移检测操作。
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公开(公告)号：CN111161764B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201911009858.3
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/4091
Abstract: 提供一种感测放大器。感测放大器被配置为：将存储在存储器单元中的单元电压感测为2位数据的最高有效位(MSB)和最低有效位(LSB)。感测放大器在单元位线与感测放大器的保持位线电断开的状态下感测2位数据的MSB，并且在单元位线电连接到保持位线的状态下感测2位数据的LSB。感测放大器被配置为在感测2位数据的MSB和LSB之前均衡感测放大器的位线对。感测放大器被配置为将与感测的2位数据的MSB和LSB对应的单元电压恢复到存储器单元。
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