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公开(公告)号：CN111826160B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010307314.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。不含镉的量子点包括锌、碲、和硒、以及锂。所述不含镉的量子点的最大发光峰的半宽度小于或等于约50纳米，并且所述不含镉的量子点具有大于1％的量子效率。
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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN111826152A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010311092.0
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/50 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。量子点包括锌、碲和硒并且不包括镉，其中所述量子点的最大发光峰存在于大于约470纳米(nm)的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于约10％，和其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。
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公开(公告)号：CN119463857A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411083991.4
申请日：2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体纳米颗粒、包括该半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒复合物、制造该半导体纳米颗粒的方法和包括该半导体纳米颗粒的电子装置，半导体纳米颗粒包括包含银、铟、镓和硫的第一半导体纳米晶体以及包含锌、镓和硫的第二半导体纳米晶体。半导体纳米颗粒被构造为发射绿光。绿光具有约500纳米至约580纳米的峰值发射波长。在半导体纳米颗粒中，锌与铟的摩尔比为约0.1:1至约10:1。
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公开(公告)号：CN111826160A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010307314.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。不含镉的量子点包括锌、碲、和硒、以及锂。所述不含镉的量子点的最大发光峰的半宽度小于或等于约50纳米，并且所述不含镉的量子点具有大于1％的量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107663452A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/70 , H01L33/18 , C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/025 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN111826152B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202010311092.0
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/115 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。量子点包括锌、碲和硒并且不包括镉，其中所述量子点的最大发光峰存在于大于约470纳米(nm)的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于约10％，和其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。
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公开(公告)号：CN116387296A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211723921.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L27/15
Abstract: 公开显示面板、其制造方法和包括其的显示设备。所述显示面板包括发光面板和颜色转换面板。所述颜色转换面板中包括的颜色转换层发射预定的光。所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26‑约0.35的Cx和约0.27‑约0.35的Cy的第一区域，并且在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于约65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。
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公开(公告)号：CN107663452B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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