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公开(公告)号:CN1988033B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200610166966.8
申请日:2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口;划分成多个存储区的存储器阵列;和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径,以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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公开(公告)号:CN1988035B
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN200610168692.6
申请日:2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件,包括:端口;数据线对,其中每个端口与所述数据线对之一相关;地址线组,其中每个端口与所述地址线组之一相关;存储器单元阵列的共享存储器区域,其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取;存取控制器,耦合到所述端口,并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号;以及存取路由器,耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组,所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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公开(公告)号:CN1988035A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610168692.6
申请日:2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件,包括:端口;数据线对,其中每个端口与所述数据线对之一相关;地址线组,其中每个端口与所述地址线组之一相关;存储器单元阵列的共享存储器区域,其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取;存取控制器,耦合到所述端口,并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号;以及存取路由器,耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组,所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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公开(公告)号:CN1988033A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610166966.8
申请日:2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口;划分成多个存储区的存储器阵列;和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径,以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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