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公开(公告)号:CN105428515B
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201510440995.8
申请日:2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸,从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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公开(公告)号:CN103871443A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310669934.X
申请日:2013-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括:功能块,包括多个晶体管;温度检测器,被构造为实时检测功能块的驱动温度;自适应体偏置产生器,被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流,其中,自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。
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公开(公告)号:CN105428515A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510440995.8
申请日:2015-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸,从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。
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公开(公告)号:CN103188523A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201210590991.4
申请日:2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/236 , H04N21/434 , H04N21/238 , H04N21/438
CPC classification number: H04N5/06 , H04N5/4401 , H04N5/46 , H04N21/4305
Abstract: 公开一种前端集成电路、广播接收系统和操作方法。所述前端集成电路包括:第一时钟单元,从振荡器接收基准时钟信号并产生第一时钟信号;第一模拟前端模块,使用第一时钟信号接收并处理第一广播信号;第二时钟单元,接收基准时钟信号并产生第二时钟信号;第二模拟前端模块,使用第二时钟信号接收并处理第二广播信号。
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公开(公告)号:CN103188523B
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201210590991.4
申请日:2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/236 , H04N21/434 , H04N21/238 , H04N21/438
CPC classification number: H04N5/06 , H04N5/4401 , H04N5/46 , H04N21/4305
Abstract: 公开一种前端集成电路、广播接收系统和操作方法。所述前端集成电路包括:第一时钟单元,从振荡器接收基准时钟信号并产生第一时钟信号;第一模拟前端模块,使用第一时钟信号接收并处理第一广播信号;第二时钟单元,接收基准时钟信号并产生第二时钟信号;第二模拟前端模块,使用第二时钟信号接收并处理第二广播信号。
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公开(公告)号:CN103871443B
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201310669934.X
申请日:2013-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括:功能块,包括多个晶体管;温度检测器,被构造为实时检测功能块的驱动温度;自适应体偏置产生器,被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流,其中,自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。
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