公开(公告)号：CN105390580A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510549322.6

申请日：2015-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  朴永洙 ,  柳荣浩 ,  朴泰荣 ,  洪镇基

IPC: H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。

公开(公告)号：CN105390580B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201510549322.6

申请日：2015-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  朴永洙 ,  柳荣浩 ,  朴泰荣 ,  洪镇基

IPC: H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。

公开(公告)号：CN103035804A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210308002.8

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李振燮 ,  金定燮 ,  李成淑 ,  朴泰荣 ,  孙哲守

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/02573 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。