公开(公告)号：CN103426982A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310196886.7

申请日：2013-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基镐 ,  金起成 ,  金喆敏 ,  尹皙胡 ,  李泰泫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。

公开(公告)号：CN102832300B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN102832300A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。