公开(公告)号：CN110858600A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910739568.8

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成东俊 ,  朴勇振 ,  白晙焕 ,  吴圭焕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 一种可变电阻存储器装置可包括第一导线、多个堆叠结构和模制图案。第一导线可形成在衬底上。所述多个堆叠结构可形成在第一导线上，并且所述多个堆叠结构中的每一个包括彼此堆叠的下电极、可变电阻图案和中间电极。模制图案可形成在第一导线上，以填充所述多个堆叠结构之间的空间。模制图案的上部可包括表面处理层，并且模制图案的下部可包括非表面处理层。

公开(公告)号：CN112310280A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010399732.8

申请日：2020-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白晙焕 ,  朴勇振 ,  梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  郑智允

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上具有位于其中的绝热线；可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。

公开(公告)号：CN110880549A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910782748.4

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴勇振 ,  白晙焕 ,  成东俊 ,  吴圭焕 ,  郑炯钟

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻式存储器装置，包括：第一导线，其设置在衬底上；第二导线，其设置在第一导线上并与第一导线交叉；以及存储器单元，其设置在第一导线和第二导线之间。存储器单元包括可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的加热器电极。加热器电极包括穿透加热器电极的通孔。通孔暴露可变电阻图案的一个表面。