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公开(公告)号:CN102237373A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201110125831.8
申请日:2011-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/3272 , H01L51/5253 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种面板、一种形成面板的方法、一种薄膜晶体管和一种显示面板。一种包括薄膜晶体管的面板包括:基底;光阻挡层,位于所述基底上;第一保护膜,位于所述光阻挡层上;第一电极和第二电极,位于所述第一保护膜上;氧化物半导体层,位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上;绝缘层;第三电极,与所述氧化物半导体层叠置,且位于所述绝缘层上;第四电极,位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁,所述第一保护膜包括第二侧壁。所述第一侧壁和所述第二侧壁沿基本相同的线设置。
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公开(公告)号:CN102544026A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110259413.8
申请日:2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L29/41733 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板;栅线,设置在绝缘基板上并具有栅电极;第一栅绝缘层,设置在栅线上且由硅氮化物制成;第二栅绝缘层,设置在第一栅绝缘层上且由硅氧化物制成;氧化物半导体,设置在第二栅绝缘层上;数据线,设置在氧化物半导体上且具有源电极;漏电极,设置在氧化物半导体上且面对源电极;以及像素电极,连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度可以在从200至500的范围。
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