公开(公告)号：CN109559980B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201811123457.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  文桢皓 ,  金珍珠 ,  全今慧

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。

公开(公告)号：CN118625595A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410229613.6

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成桓 ,  崔诚原 ,  郭允铉 ,  文桢皓 ,  朴柱铉 ,  李松世 ,  李坪根

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括包含光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物，光敏性聚合物包括具有极性反转基团的第一重复单元和具有敏化基团的第二重复单元。制造集成电路器件的方法包括：通过使用光致抗蚀剂组合物在特征层上形成光致抗蚀剂膜，将作为光致抗蚀剂膜的一部分的第一区域曝光以在第一区域中由第二重复单元产生二次电子并且通过使用第一区域中的二次电子改变第一重复单元的极性以反转第一区域的极性，通过使用显影剂除去光致抗蚀剂膜的未经曝光的区域以形成包括第一区域的光致抗蚀剂图案，和通过使用光致抗蚀剂图案处理特征层。

公开(公告)号：CN109581810A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811093301.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文桢皓 ,  洪锡九 ,  金珍珠 ,  全今慧

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。

公开(公告)号：CN119431638A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410962622.6

申请日：2024-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  文桢皓 ,  安性炫 ,  安赞在 ,  李在俊 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  崔诚原

IPC: C08F120/20 ,  C08F220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004

Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的含聚合物的组合物、以及通过使用所述含聚合物的组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元且具有50℃或更低的玻璃化转变温度，其中，在式1中，L11至L13、a11至a13、A11、R11、R12、b12和p1的描述在本说明书中提供。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN109581810B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811093301.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文桢皓 ,  洪锡九 ,  金珍珠 ,  全今慧

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。

公开(公告)号：CN109559980A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811123457.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  文桢皓 ,  金珍珠 ,  全今慧

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。