公开(公告)号：CN102468280A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110347712.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  孙炳根 ,  朴赞真 ,  赵慧珍 ,  张盛壹

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。

公开(公告)号：CN105206672B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201510351040.5

申请日：2015-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在训 ,  朱绿泫 ,  梁亨模 ,  张盛壹 ,  李赞镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。

公开(公告)号：CN105206672A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510351040.5

申请日：2015-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在训 ,  朱绿泫 ,  梁亨模 ,  张盛壹 ,  李赞镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。