公开(公告)号：CN115707241A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210971126.8

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰欢 ,  吴民在 ,  张景泰

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/42 ,  H10B41/50 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20

Abstract: 半导体器件可以包括：第一堆叠结构，包括层间绝缘层和栅电极，并且包括第一下堆叠结构和第一上堆叠结构，该层间绝缘层和栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上交替堆叠在衬底的第一区域上；第二堆叠结构，包括层间绝缘层和牺牲绝缘层，并且包括第二下堆叠结构和第二上堆叠结构，该层间绝缘层和牺牲绝缘层在第一方向上交替堆叠在衬底的第二区域上；沟道结构，穿透第一上堆叠结构和第一下堆叠结构，在第一方向上延伸，并且包括沟道层；以及对准键结构，穿透第二下堆叠结构，并且在第一方向上延伸。第二上堆叠结构可以包括在对准键结构上的第一对准键区域。

公开(公告)号：CN116347891A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211560074.1

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具永勋 ,  金烔永 ,  张景泰

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H01L21/768

Abstract: 为了制造半导体器件，通过在衬底上逐一交替地堆叠多个第一膜和多个第二膜来形成结构。形成竖直孔以竖直地穿过该结构。形成含碳阻挡膜以共形地覆盖竖直孔的内侧壁。含碳阻挡膜与多个第一膜和多个第二膜中的一部分接触。在竖直孔中的含碳阻挡膜上形成牺牲金属膜。去除牺牲金属膜以暴露含碳阻挡膜。使用灰化工艺去除含碳阻挡膜。