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公开(公告)号：CN101182374A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710154320.2
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/127 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/344 , C08G2261/376 , C08G2261/411 , H01L27/285 , H01L51/0043 , H01L51/0077
Abstract: 本发明披露了含二茂铁的导电聚合物、使用该导电聚合物的有机存储装置和制造该有机存储装置的方法。所述导电聚合物可包括芴基重复单元、噻吩基重复单元和二芳基二茂铁基重复单元。所述有机存储装置可具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本和提高的可靠性。基于这些优点，所述有机存储装置可用作高度集成、大容量的存储装置。
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公开(公告)号：CN110895808A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910825087.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于监视半导体制造过程的非暂时性计算机可读介质包括具有人工神经网络的图像转换模型。所述图像转换模型当被执行时使处理器接收半导体晶片的第一图像和第二图像。通过以下操作来训练所述人工神经网络：输入表示所述第一图像和所述第二图像的数据集，生成所述半导体晶片的转换图像，以及校准所述人工神经网络的权重和偏置以使所述转换图像与所述第二图像相匹配。基于所述人工神经网络的经校准的权重和偏置来生成所述半导体晶片的第三图像。带有经训练的人工神经网络的图像转换模型可以被发送给另一设备以用于低分辨率图像的图像转换。
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公开(公告)号：CN1933172A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610105951.0
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L27/285 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0579 , H01L2251/105
Abstract: 本发明提供了一种具有由压纹结构形成的存储有源区的有机存储器，包括：衬底；第一电极，形成在所述衬底上；有机存储层，形成在所述第一电极上；第二电极，形成在所述有机存储层上；和压纹结构，设置于所述有机存储层，以形成存储有源区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101201541A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710154319.X
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0018 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , H01L27/285
Abstract: 本发明披露了一种形成有机层图案的方法、由该方法制备的有机层图案和包括该图案的有机存储装置，所述方法的特征在于通过将包括聚酰亚胺类聚合物、光引发剂和交联剂的涂敷液涂敷在基底上并干燥该基底而形成薄层，并对所述薄层进行曝光和显影，所述聚酰亚胺类聚合物在其聚酰亚胺主链中具有包括杂原子的杂芳族侧基。根据本发明，可在不进行任何昂贵工艺(例如光刻胶)的情况下，形成高分辨显微图案，使得制备过程简化以及成本降低。
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公开(公告)号：CN101271962A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710087861.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/004 , H01L51/0095 , H01L51/0579
Abstract: 提供有机存储装置和该存储装置的制造方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极及第一电极和第二电极之间的离子转移层。该有机存储装置可具有较低的操作电压和电流，并可以较低成本制造。
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公开(公告)号：CN101237028A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710004747.4
申请日：2007-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0083 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0042 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制备该存储装置的方法。该有机存储装置可包括第一电极、第二电极和介于第一和第二电极之间的有机活性层，其中该有机活性层由导电聚合物和金属茂化合物的混合物形成。由于该有机存储装置具有缩短的切换时间、降低的操作电压、减少的制造成本和增加的可靠性，因此该有机存储装置可用作高度集成的大容量存储装置。
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公开(公告)号：CN101182335A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710154316.6
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B32B15/04 , B82Y10/00 , C07F17/02 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0059 , H01L51/0083 , H01L51/009 , H01L51/0591 , H01L2251/308 , Y10T29/49002 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明披露茂金属基树状大分子、使用该茂金属基树状大分子的有机存储装置和制造该有机存储装置的方法。该茂金属基树状大分子由树状大分子和作为氧化还原物质与所述树状大分子相连的茂金属构成。该有机存储装置可具有以下优点：较短的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本和提高的可靠性。基于这些优点，该有机存储装置可用作高度集成、大容量的存储装置。
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公开(公告)号：CN101013741A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004081.2
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0579 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C11/5664 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/77 , H01L27/285 , H01L51/002 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了有机存储装置及制造该装置的方法。该有机存储装置包括第一电极、第二电极及在第一和第二电极之间延伸的有机活性层，其中有机活性层由一种或多种导电有机材料形成，该导电有机材料包含杂原子且以以下方式构造，使得所述杂原子可用来结合或络合有机活性层内的金属原子。然后，金属离子可以在有机活性层被还原而形成金属丝，从而形成低电阻态，反过来，金属丝可经氧化形成高电阻态，由此用作存储装置。
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