公开(公告)号：CN110600423B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910915589.0

申请日：2016-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  尹广燮 ,  尹锺密 ,  李炯宗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

公开(公告)号：CN106057807B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201610130372.5

申请日：2016-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  尹广燮 ,  尹锺密 ,  李炯宗

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

公开(公告)号：CN110600423A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910915589.0

申请日：2016-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  尹广燮 ,  尹锺密 ,  李炯宗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

公开(公告)号：CN106057807A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610130372.5

申请日：2016-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  尹广燮 ,  尹锺密 ,  李炯宗

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。