公开(公告)号：CN116759449A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202211496039.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泰景 ,  金莹俊 ,  朴薰莹 ,  李殷沃 ,  李在珍 ,  张东珠

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成限定有源区的器件隔离层，并且形成与有源区相交并掩埋在衬底中的栅极线。栅极线的形成包括：在衬底中形成与有源区交叉的沟槽，形成填充沟槽的导电层，并且对导电层执行热处理工艺。导电层包括第一金属的氮化物。导电层中的氮原子通过热处理工艺朝向导电层的侧表面和下表面扩散。

公开(公告)号：CN118553716A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311487028.8

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金昊炫 ,  罗睿真 ,  刘俊埴 ,  尹泰景 ,  郑有真 ,  崔溶俊

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/04 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。

公开(公告)号：CN115732547A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210859821.5

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在珍 ,  金莹俊 ,  朴薰荣 ,  尹泰景 ,  李殷沃

IPC: H01L29/423 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。