公开(公告)号：CN116156882A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310158655.0

申请日：2017-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙荣皖 ,  张在薰 ,  韩智勋

IPC: H10B20/00

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。

公开(公告)号：CN108206189B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201711157724.7

申请日：2017-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙荣皖 ,  张在薰 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。

公开(公告)号：CN114597213A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111460944.3

申请日：2021-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权裕珍 ,  白石千 ,  孙荣皖

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体装置和数据存储系统。所述半导体装置包括：第一栅电极和第二栅电极，其在衬底的第一区上在第一方向上堆叠并且彼此间隔开，并且在衬底的第二区上在第二方向上按照台阶形式延伸，第二栅电极设置在第一栅电极上；第一支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最下面的第二栅电极的水平面更低的水平面处；第二支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极和第二栅电极中的至少一个，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最上面的第二栅电极的水平面更高的水平面处。

公开(公告)号：CN119993939A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202410868422.4

申请日：2024-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文埈 ,  孙荣皖 ,  成锡江

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括电路元件布线、连接到电路元件布线的下布线、在下布线上的下层间绝缘层、以及穿透下层间绝缘层的第一接触垫。第一接触垫可以包括连接到下布线的第一部分、在第一部分上的包括空隙的第二部分、以及在第二部分上的第三部分。第二部分的两个外表面之间沿水平方向的最大宽度可以大于第三部分沿水平方向的宽度。

公开(公告)号：CN119967812A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411431925.1

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文埈 ,  孙荣皖 ,  姜信焕 ,  成锡江

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

Abstract: 提供了包括三维地布置的存储器单元的半导体存储器装置、其制造方法以及包括其的电子系统。半导体存储器装置包括：第一堆叠结构，其包括顺序地堆叠并彼此间隔开的第一栅电极；第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构上并包括顺序地堆叠并彼此间隔开的第二栅电极；以及沟道结构，其在竖直方向上延伸并穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中，沟道结构包括沟道层和数据存储层，沟道层包括与第一栅电极交叉的第一柱部、与第二栅电极交叉的第二柱部、以及沿与竖直方向相交的平面延伸的水平部，水平部连接第一柱部和第二柱部，并且数据存储层沿沟道层的外侧延伸。

公开(公告)号：CN108206189A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711157724.7

申请日：2017-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙荣皖 ,  张在薰 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括在基底上的下绝缘层、包括交替地堆叠在下绝缘层上的栅电极和层间绝缘层的多层结构、栅极电介质以及沟道结构，并且非易失性存储器装置具有穿过多层结构延伸并暴露下绝缘层的开口。开口包括以第一宽度穿过多层结构中的至少一层延伸的第一开口部分以及以比第一宽度小的第二宽度穿过多层结构延伸的第二开口部分。栅极介电层位于开口中，沟道结构设置在栅极介电层上并电连接到基底。