公开(公告)号：CN114597213A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111460944.3

申请日：2021-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权裕珍 ,  白石千 ,  孙荣皖

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体装置和数据存储系统。所述半导体装置包括：第一栅电极和第二栅电极，其在衬底的第一区上在第一方向上堆叠并且彼此间隔开，并且在衬底的第二区上在第二方向上按照台阶形式延伸，第二栅电极设置在第一栅电极上；第一支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最下面的第二栅电极的水平面更低的水平面处；第二支承结构，其在第二区上穿过第一栅电极和第二栅电极中的至少一个，在第一方向上延伸，并且其上端设置在比第二栅电极中的最上面的第二栅电极的水平面更高的水平面处。

公开(公告)号：CN116782648A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310246985.5

申请日：2023-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李呈焕 ,  权裕珍 ,  刘在洪 ,  赵显敏

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

Abstract: 提供了一种半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括在半导体衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括第一栅极堆叠组和第二栅极堆叠组，第一栅极堆叠组包括多个间隔开的第一栅电极，第二栅极堆叠组包括多个间隔开的第二栅电极。第二栅极堆叠组在第一栅极堆叠组上延伸，使得第一栅极堆叠组在第二栅极堆叠组与衬底之间延伸。提供多个有源沟道结构，该多个有源沟道结构竖直地穿透第二栅极堆叠组作为上沟道结构并且竖直地穿透第一栅极堆叠组作为下沟道结构。提供竖直地穿透第二栅极堆叠组但不穿透第一栅极堆叠组的多个伪沟道结构。