公开(公告)号：CN105006502A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510202504.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  韩尚宪 ,  金承贤 ,  金长美 ,  威廉·索拉里 ,  沈炫旭 ,  尹晳胡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01J37/3288

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。

公开(公告)号：CN105023829A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510202044.7

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 威廉·索拉里 ,  金敏浩 ,  李宪昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法。一种生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：在硅基底上形成缓冲层以及在缓冲层上生长III族氮化物晶体。通过其中提供III族金属源和氮源气体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行生长III族氮化物晶体的方法。氮源气体包括氢(H2)以及包括氨(NH3)和氮(N2)中的至少一种。可在其中氢在氮源气体中的体积分数的范围为20％至40％并且硅基底的温度范围为950℃至1040℃的条件下执行生长III族氮化物晶体的操作的至少一部分阶段。