公开(公告)号：CN119556850A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411024601.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  大邱庆北科学技术院

Inventor： 金大勋 ,  朴亨源 ,  郑辰 ,  金敏浩 ,  苏镇麟 ,  李宗键 ,  李欢俊 ,  张旼佑 ,  郑芮智

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开提供了存储器系统和运行存储器系统的方法。存储器系统包括：第一存储器；运行速度与第一存储器的运行速度不同的第二存储器；被配置为存储有指令的存储单元；被配置为响应于缓存命中的发生来更新预取器数据的预取器；以及被配置为执行存储在存储单元中的指令的处理器。当执行该指令时，处理器被配置为：通过过滤预取器数据来生成预取器友好数据，基于预取器友好数据，在与第一存储器相对应的第一指针区域和与第二存储器相对应的第二指针区域中设定预取器友好位，并且基于第一指针区域和第二指针区域的引用位和预取器友好位来确定是否迁移第一指针区域和第二指针区域的数据。

公开(公告)号：CN105023829A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510202044.7

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 威廉·索拉里 ,  金敏浩 ,  李宪昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法。一种生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：在硅基底上形成缓冲层以及在缓冲层上生长III族氮化物晶体。通过其中提供III族金属源和氮源气体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行生长III族氮化物晶体的方法。氮源气体包括氢(H2)以及包括氨(NH3)和氮(N2)中的至少一种。可在其中氢在氮源气体中的体积分数的范围为20％至40％并且硅基底的温度范围为950℃至1040℃的条件下执行生长III族氮化物晶体的操作的至少一部分阶段。