公开(公告)号：CN103972158A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310740175.1

申请日：2013-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种互连结构包括：下伏层，包括下互连件；以及层间介电层，其内包括接触孔和沟槽。接触孔暴露下互连件的一部分，沟槽沿着第一方向延伸以连接到接触孔。接触塞延伸通过层间介电层中的接触孔，上互连线在层间介电层的沟槽中延伸并且连接到接触塞。接触塞包括相对于下伏层分别以第一角度和第二角度倾斜的下侧壁和上侧壁，第二角度小于第一角度。还讨论了相关器件和制造方法。

公开(公告)号：CN115642146A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210839787.5

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  文泂烈 ,  赵星东 ,  赵原熙

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：包括第一区域和第二区域的半导体基板；在第一区域上以第一间隔彼此间隔开的第一金属线；在第二区域上以第二间隔彼此间隔开的第二金属线，第二间隔小于第一间隔；以及在半导体基板上并覆盖第一金属线和第二金属线的钝化层，钝化层包括侧壁部、上部和气隙，侧壁部覆盖第一金属线和第二金属线的侧壁，侧壁部包括多孔介电层，上部覆盖第一金属线和第二金属线的顶表面，气隙由第二金属线之间的侧壁部限定。

公开(公告)号：CN103972158B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201310740175.1

申请日：2013-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种互连结构包括：下伏层，包括下互连件；以及层间介电层，其内包括接触孔和沟槽。接触孔暴露下互连件的一部分，沟槽沿着第一方向延伸以连接到接触孔。接触塞延伸通过层间介电层中的接触孔，上互连线在层间介电层的沟槽中延伸并且连接到接触塞。接触塞包括相对于下伏层分别以第一角度和第二角度倾斜的下侧壁和上侧壁，第二角度小于第一角度。还讨论了相关器件和制造方法。

公开(公告)号：CN108336022B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810199515.7

申请日：2013-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件的互连结构。所述互连结构包括：下互连线，位于基板上；层间介电层，位于下互连线上；接触塞，设置在层间介电层中并且包括下部部分和上部部分，接触塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部宽度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部宽度，接触塞的下部部分接触下互连线并且具有下部宽度；以及上互连线，设置在层间介电层中并且接触接触塞的上部部分，上互连线沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的线宽度，其中，接触塞的第一上部宽度大于上互连线的线宽度，并且其中，上互连线的线宽度大于接触塞的第二上部宽度。

公开(公告)号：CN115700910A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210777377.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  文泂烈 ,  秦浚禑 ,  金甫贤 ,  赵星东 ,  赵原熙

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括衬底。导电层设置在衬底上并且沿第一方向延伸。绝缘层设置在导电层上并且通过通路孔暴露导电层的至少一部分。通路孔包括相对于导电层的顶面以第一坡度延伸的第一面。第二面相对于导电层的顶面以小于第一坡度的第二坡度延伸。再分布导电层包括设置在通路孔中的第一焊盘区域。线路区域至少部分地沿着第一面和第二面延伸。第一面直接接触导电层。第二面在垂直于衬底的顶面的第三方向上位于比第一面高的高度处。

公开(公告)号：CN118231376A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311215675.3

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  赵原熙 ,  文泂烈 ,  赵星东

IPC: H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：半导体层，所述半导体层位于衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体层上；第一导电结构，所述第一导电结构被设置为在与所述衬底的底表面垂直的垂直方向上穿透所述第一绝缘层，并且连接到所述半导体层；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第一导电结构；第二导电结构，所述第二导电结构被设置为在所述垂直方向上穿透所述第二绝缘层，并且连接到所述第一导电结构；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述第一绝缘层的顶表面并且延伸到所述第一导电结构的侧表面。所述第二导电结构的最下表面可以位于比所述第一绝缘层的顶表面高的高度。

公开(公告)号：CN108336022A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810199515.7

申请日：2013-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件的互连结构。所述互连结构包括：下互连线，位于基板上；层间介电层，位于下互连线上；接触塞，设置在层间介电层中并且包括下部部分和上部部分，接触塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部宽度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部宽度，接触塞的下部部分接触下互连线并且具有下部宽度；以及上互连线，设置在层间介电层中并且接触接触塞的上部部分，上互连线沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的线宽度，其中，接触塞的第一上部宽度大于上互连线的线宽度，并且其中，上互连线的线宽度大于接触塞的第二上部宽度。