公开(公告)号：CN113224056B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

公开(公告)号：CN113224056A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。