公开(公告)号：CN110075713A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201811265066.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高次元 ,  奥列格·费根森 ,  金重铉 ,  金贤友 ,  金垠成

IPC: B01D61/42 ,  B01D61/58

Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。

公开(公告)号：CN110075713B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201811265066.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高次元 ,  奥列格·费根森 ,  金重铉 ,  金贤友 ,  金垠成

IPC: B01D61/42 ,  B01D61/58

Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。

公开(公告)号：CN115084047A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210890179.7

申请日：2016-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  奥列格·费根森 ,  金相壹 ,  金永培 ,  金志澈 ,  睦承坤 ,  河丁寿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：下封装件；以及上封装件，在下封装件上；下封装件包括：下封装基底；下半导体芯片和连接端子，在封装基底上，并且连接端子与下半导体芯片的侧表面间隔开；散热层，在下半导体芯片的顶表面上，散热层与下半导体芯片的顶表面接触；以及下模制层，覆盖下封装基底的顶表面和下半导体芯片的侧表面；上封装件包括：上封装基底；上半导体芯片，在上封装基底上；以及上模制层，覆盖上封装基底的顶表面以及上半导体芯片的顶表面和侧表面；其中，连接端子竖直延伸到高于下半导体芯片的顶表面的水平的水平，并且其中，散热层的顶表面从下模制层暴露。

公开(公告)号：CN106449541A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610647582.1

申请日：2016-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  奥列格·费根森 ,  金相壹 ,  金永培 ,  金志澈 ,  睦承坤 ,  河丁寿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 公开了一种半导体封装件。半导体封装件可以包括：封装基底；半导体芯片，安装在封装基底上以具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；模制层，设置在封装基底上以包封半导体芯片；以及散热层，设置在半导体芯片的顶表面上。模制层可以具有基本上与半导体芯片的顶表面共面的顶表面，半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面可以具有彼此不同的表面粗糙度。