公开(公告)号：CN119852283A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411429448.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴重锡 ,  崔宰铭 ,  徐康一

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：晶体管结构；在晶体管结构上方的多条第一金属线；以及多个第一通路，分别形成在所述多条第一金属线当中的所选择的第一金属线上；形成在所述多个第一通路当中的第一有源通路上的第二通路；以及在第二通路上的第二金属线，其中第一金属线在第一方向上布置并且在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且第二金属线在第一方向上延伸，其中所述多个第一通路包括至少一个虚设通路，其不连接到其上方的任何金属线。

公开(公告)号：CN119337804A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410716467.X

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊俊 ,  边珍煜 ,  吴重锡 ,  金成烈 ,  金铃九 ,  崔承勋 ,  崔在铭

IPC: G06F30/392 ,  H01L21/66 ,  G06F30/398

Abstract: 本公开涉及用于变换测量数据的装置、方法和系统。用于变换测量数据的示例装置包括：通信器，其被配置为接收第一测量数据，该第一测量数据包括对其执行了化学机械抛光(CMP)工艺的半导体芯片上的台阶高度值，并且接收布局数据，该布局数据包括半导体芯片中所包括的布局；以及处理器，其被配置为基于布局数据将第一测量数据变换为第二测量数据，该第二测量数据包括沉积有金属的半导体芯片的台阶高度值。

公开(公告)号：CN119028974A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410567366.0

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴重锡 ,  金镐永

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面；有源图案，其位于所述第一表面上并且在第二方向上延伸；栅电极，其在所述有源图案上沿第三方向延伸；源极/漏极图案，其位于所述栅电极的至少一侧并且连接到所述有源图案；栅极切割结构，其位于所述有源图案的一侧并且切割所述栅电极，所述栅极切割结构包括在所述第一方向上彼此相对的第三表面和第四表面，并且所述第四表面与所述衬底的所述第二表面共面；电力轨，其位于所述衬底的所述第二表面上并且在所述第二方向上延伸；以及通路接触，其穿过所述衬底，所述通路接触的第一端接触所述电力轨，并且通路接触的第二端连接到所述源极/漏极图案。