公开(公告)号：CN107016442B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201611205469.4

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫信 ,  吴暎泽 ,  田仁秀

IPC: G06N10/20 ,  G06N10/40 ,  H01L39/22

Abstract: 一种多量子比特器件和包括其的量子计算机被提供。多量子比特器件可以包括：第一层，其包括多个量子比特；第二层，其被设置在第一层上，并且包括将通量施加到多个量子比特的多个通量产生元件、将电流提供到多个通量产生元件的多个导线图案、以及多个插塞，多个插塞被设置为垂直于多个通量产生元件和多个导线图案并且使多个通量产生元件和多个导线图案互连。多个通量产生元件的每个可以与多个导线图案中相应的导线图案以及多个插塞中相应的插塞成一体。

公开(公告)号：CN107039236B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN114792692A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210086999.0

申请日：2022-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金泰忍 ,  吴暎泽 ,  李洙衡

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种垂直NAND闪存器件和制造其的方法。该垂直NAND闪存器件包括在垂直地形成在衬底上的沟道孔的内壁上布置的电荷陷阱层。电荷陷阱层包括分布在基底中的纳米结构。纳米结构可以包括具有约1×1019cm‑3至约10×1019cm‑3的陷阱密度的材料，基底可以包括相对于在纳米结构中包括的材料具有约0.5eV至约3.5eV的导带偏移(CBO)的材料。

公开(公告)号：CN107039236A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/0242 ,  H01L29/068

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN107016442A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611205469.4

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫信 ,  吴暎泽 ,  田仁秀

IPC: G06N99/00 ,  H01L39/22

CPC classification number: H01L39/223 ,  G06N99/002 ,  H01L27/18

Abstract: 一种多量子比特器件和包括其的量子计算机被提供。多量子比特器件可以包括：第一层，其包括多个量子比特；第二层，其被设置在第一层上，并且包括将通量施加到多个量子比特的多个通量产生元件、将电流提供到多个通量产生元件的多个导线图案、以及多个插塞，多个插塞被设置为垂直于多个通量产生元件和多个导线图案并且使多个通量产生元件和多个导线图案互连。多个通量产生元件的每个可以与多个导线图案中相应的导线图案以及多个插塞中相应的插塞成一体。