公开(公告)号：CN100568499C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200610151329.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙焕 ,  孟东祚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有双重或多重盖层的互联的制造方法，包括：在衬底上形成层间电介质层；在所述层间电介质层中形成沟槽；以金属层填充所述沟槽；在所述金属层和层间电介质层上形成第一阻挡层；热处理包括所述第一阻挡层的所得到的衬底以在所述金属层的顶部形成金属化合物层；和在热处理的包括所述第一阻挡层的衬底上形成第二阻挡层。

公开(公告)号：CN1772842A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120297.6

申请日：2005-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美英 ,  李晓山 ,  洪郁善 ,  吴晙焕 ,  李相旻

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/08 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。

公开(公告)号：CN1945826A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610151329.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙焕 ,  孟东祚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有双重或多重盖层的互联及其制造方法。互连包括其间形成有沟槽的层间电介质层，沟槽内形成的金属层，金属层上的金属化合物层，层间电介质层上的第一阻挡层，和金属化合物层与第一阻挡层上的第二阻挡层。