公开(公告)号：CN118053894A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311492014.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  金真范 ,  李商文 ,  金东宇 ,  金成玟 ,  南勇准 ,  黄仁建

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上在第一方向上延伸；沟道层，布置在有源图案上；栅极结构，与有源图案交叉并且围绕所述多个沟道层，栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及源极/漏极区，在栅极结构的两侧设置在有源图案上并且包括第一外延层和第二外延层，第一外延层连接到多个沟道层的侧表面中的每个，第二外延层设置在第一外延层上并且具有与第一外延层的组成不同的组成。所述多个沟道层的侧表面中的每个具有(111)晶面或(100)晶面。第一外延层在第二方向上延伸并且在第一方向上具有基本上恒定的第一厚度。

公开(公告)号：CN116895656A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310221219.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  李商文 ,  金东宇 ,  黄仁建

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。

公开(公告)号：CN119108426A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410236361.X

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南勇准 ,  金真范 ,  李商文 ,  金傔 ,  金孝珍 ,  李泰衡 ,  黄仁建

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，其在所述衬底上沿第一水平方向延伸；多个纳米片，其彼此间隔开并沿垂直方向堆叠在所述有源图案上；栅电极，其在所述有源图案上沿与所述第一水平方向不同的第二水平方向延伸，所述栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区，其在所述有源图案上设置在所述栅电极的至少一侧上，所述源极/漏极区包括掺杂有金属的第一层以及设置在所述第一层上的第二层；以及内部间隔物，其设置在所述栅电极和所述第一层之间，所述内部间隔物接触所述第一层并且包括通过氧化所述金属形成的所述金属的金属氧化物。

公开(公告)号：CN117253921A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310669149.8

申请日：2023-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  李商文 ,  金真范 ,  南勇准

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上延伸的下图案；第一阻挡结构，其在所述下图案上，并且包括至少一个第一阻挡膜，所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜；源极/漏极图案，其在所述第一阻挡结构上；以及栅极结构，其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN115566050A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210471876.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  郑秀珍

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。