公开(公告)号：CN119673735A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411078505.X

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志模 ,  金京善 ,  罗栋铉 ,  宋重泫 ,  申明修 ,  沈承辅 ,  尹贵玹 ,  李埈昊 ,  千雄振 ,  韩东锡

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体室；射频(RF)电源，被配置为在等离子体室中产生等离子体；电磁体，被配置为向等离子体施加磁场；以及脉冲电流产生器，被配置为向电磁体提供脉冲电流，其中，脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分，并且脉冲电流产生器还被配置为：在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场，并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。

公开(公告)号：CN115966452A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211245254.0

申请日：2022-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵星辉 ,  金成烈 ,  林美贤 ,  林成龙 ,  郑盛夏 ,  千雄振

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元。控制单元包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。