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公开(公告)号：CN111103529B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910588959.4
申请日：2019-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/311
Abstract: 提供了用于测试布线电路的设备和方法。所述设备包括：电路基底，具有在电路基底中的布线和在电路基底的上表面上并连接到布线的垫；电极，位于电路基底的下表面下方；光学传感器，位于电路基底的上表面上方，并且被构造成检测从电路基底的上表面发射的信号；以及光学单元，位于光学传感器上方并且被构造成照射光，其中，光学传感器包括：光学基底，其光学特性通过从电路基底的上表面发射的信号而改变；以及图案化反射层，位于光学基底的面对电路基底的表面上，图案化反射层具有反射入射在光学基底上的光的第一区域和透射入射在光学基底上的光的第二区域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111103529A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910588959.4
申请日：2019-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/311
Abstract: 提供了用于测试布线电路的设备和方法。所述设备包括：电路基底，具有在电路基底中的布线和在电路基底的上表面上并连接到布线的垫；电极，位于电路基底的下表面下方；光学传感器，位于电路基底的上表面上方，并且被构造成检测从电路基底的上表面发射的信号；以及光学单元，位于光学传感器上方并且被构造成照射光，其中，光学传感器包括：光学基底，其光学特性通过从电路基底的上表面发射的信号而改变；以及图案化反射层，位于光学基底的面对电路基底的表面上，图案化反射层具有反射入射在光学基底上的光的第一区域和透射入射在光学基底上的光的第二区域。
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公开(公告)号：CN118471778A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410028100.9
申请日：2024-01-09
Abstract: 一种介电结构可以包括：绝缘层，其在第一方向上延伸；多个导体层，其设置在绝缘层的第一表面上，并且在第一方向上彼此间隔开；至少一个半导体层，其设置在绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，并且在与第一方向交叉的第二方向上与多个导体层中的彼此相邻的至少两个导体层中的每一个重叠；第一保护层，其在绝缘层的第一表面上覆盖多个导体层；以及第二保护层，其在绝缘层的第二表面上覆盖至少一个半导体层。
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公开(公告)号：CN115966452A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211245254.0
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/3065
Abstract: 提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元。控制单元包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。
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