公开(公告)号：CN117878120A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202310983480.7

申请日：2023-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘智旼 ,  申宪宗 ,  李斗铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/764

Abstract: 半导体装置包括：衬底；在衬底上在第一水平方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案；分别在第一有源图案和第二有源图案上在第二水平方向上延伸的第一栅电极和第二栅电极；第一沟槽，其在第一栅电极与第二栅电极之间在第二水平方向上延伸，并且将第一有源图案和第二有源图案分离，第一沟槽的至少一部分位于衬底中；有源切口，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面延伸并且接触第一有源图案和第二有源图案中的每一个；第二沟槽，其在第一沟槽中位于有源切口上；以及可流动材料层，其位于第二沟槽的至少一部分中，可流动材料层包括可流动绝缘材料，并且不与衬底以及第一有源图案和第二有源图案中的每一个接触。

公开(公告)号：CN116435347A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310003738.2

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  张在兰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。

公开(公告)号：CN119698059A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410955717.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大湜 ,  金善培 ,  权兑勇 ,  金昶熹 ,  李斗铉 ,  姜在玄 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  李真旭 ,  黄胜贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

公开(公告)号：CN116913916A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310306078.5

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  张在兰

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。