公开(公告)号：CN119698059A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410955717.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大湜 ,  金善培 ,  权兑勇 ,  金昶熹 ,  李斗铉 ,  姜在玄 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  李真旭 ,  黄胜贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。