公开(公告)号：CN106371888A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610579921.7

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  申东君

IPC: G06F9/455 ,  G06F9/50

CPC classification number: G06F3/0688 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0631 ,  G06F9/45558 ,  G06F9/5077 ,  G06F2009/45579

Abstract: 一种存储设备包括：包括多个块的非易失性存储器；以及存储控制器，连接到非易失性存储器并且配置来基于一个虚拟机的工作负荷贡献调度多个虚拟机的一个虚拟机的请求的任务，该工作负荷贡献指示在由一个虚拟机所产生的工作负荷和由多个虚拟机所产生的多个工作负荷之间的比率。

公开(公告)号：CN107093448B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201710193397.4

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  郭东勋

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：擦除第一行的多级存储单元；从外部设备接收第一页数据和第二页数据；将第一页数据存储到RAM；将第二页数据存储到RAM；将第一页数据加载到页缓冲器；将第二页数据加载到页缓冲器；以及通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元，来执行对多比特数据的一次性编程过程。

公开(公告)号：CN107093448A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710193397.4

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  郭东勋

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：擦除第一行的多级存储单元；从外部设备接收第一页数据和第二页数据；将第一页数据存储到RAM；将第二页数据存储到RAM；将第一页数据加载到页缓冲器；将第二页数据加载到页缓冲器；以及通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元，来执行对多比特数据的一次性编程过程。

公开(公告)号：CN109800177B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811358058.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都仁焕 ,  全昺熙 ,  黄珠荣

IPC: G06F12/02

公开(公告)号：CN103383861A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310168094.9

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  郭东勋

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F3/0605 ,  G06F3/061 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0292 ,  G06F12/0638 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/205 ,  G11C7/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种用于存储系统的编程方法，所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器，所述三维非易失性存储器具有多级存储单元。该方法在三维非易失性存储器中的一行存储单元的编程期间使用随机存取存储器来不同地存储多比特数据的所选比特。

公开(公告)号：CN106371888B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201610579921.7

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  申东君

IPC: G06F9/455 ,  G06F9/50

Abstract: 一种存储设备包括：包括多个块的非易失性存储器；以及存储控制器，连接到非易失性存储器并且配置来基于一个虚拟机的工作负荷贡献调度多个虚拟机的一个虚拟机的请求的任务，该工作负荷贡献指示在由一个虚拟机所产生的工作负荷和由多个虚拟机所产生的多个工作负荷之间的比率。

公开(公告)号：CN109800177A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811358058.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都仁焕 ,  全昺熙 ,  黄珠荣

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种操作存储设备以在具有多个存储块的非易失性存储器件上执行垃圾收集操作的方法，所述存储设备被配置为基于多流方案操作，使得多个数据基于多个流中的哪一个与多个数据相关联被写入到所述存储设备中，该方法可以包括：选择多个存储块中的至少两个存储块作为牺牲存储块，使得牺牲存储块被配置为存储与多个流的相同流相关联的数据；和对牺牲存储块执行垃圾收集操作。

公开(公告)号：CN103383861B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310168094.9

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昺熙 ,  郭东勋

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F3/0605 ,  G06F3/061 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0292 ,  G06F12/0638 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/205 ,  G11C7/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种用于存储系统的编程方法，所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器，所述三维非易失性存储器具有多级存储单元。该方法在三维非易失性存储器中的一行存储单元的编程期间使用随机存取存储器来不同地存储多比特数据的所选比特。